|
测试单晶电阻率范围
|
>2Ω.cm
|
|
可测单晶少子寿命范围
|
5μS～7000μS
|
|
配备光源类型
|
波长：1.09μm；余辉<1 μS；
闪光频率为：20～30次／秒； 闪光频率为：20～30次／秒； |
|
高频振荡源
|
用石英谐振器，振荡频率：30MHz
|
|
前置放大器
|
放大倍数约25，频宽2 Hz-1 MHz
|
|
仪器测量重复误差
|
<±20％
|
|
测量方式
|
采用对标准曲线读数方式
|
|
仪器消耗功率
|
<25W
|
|
仪器工作条件
|
温度： 10-35℃、 湿度 < 80％、使用电源：AC 220V，50Hz
|
|
可测单晶尺寸
|
断面竖测：φ25mm—150mm； L 2mm—500mm；
纵向卧测：φ25mm—150mm； L 50mm—800mm； |
|
配用示波器
|
频宽0—20MHz；
电压灵敏：10mV／cm； |
